45 nmノード p+ UltraShallow Junction（超浅接合）の高ドーパント活性化・低ダメージ形成

45 nmノード用途の深さ15〜20 nmの高ドーパント活性化・低ダメージ超浅接合（USJ）を実現するため、各種p+エクステンション注入ドーパント種（B、BF₂、B₁₀H₁₄、B₁₈H₂₂）およびアニール技術（スパイク、フラッシュ、レーザー、SPE）を調査しました。新しいUSJメトロロジー技術を調査し、接触および非接触のフルウェーハメトロロジー手法を用いて、1）表面ドーパント活性化レベル、2）接合品質（残留注入ダメージ）を測定しました。分子ドーパント種（B₁₀H₁₄、B₁₈H₂₂）を使用する場合、高温（フラッシュまたはレーザー）アニールまたは低温SPEアニールのいずれかが、拡散を伴わないドーパント活性化の広い温度範囲を有するため、SiONまたはhigh-k Hfベース誘電体ゲートスタック構造での45 nmノードプロセスインテグレーションに非常に有望であることを見出しました。

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