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2006 • Materials Research Society MRS, Spring Meeting
n− 4H-SiCエピタキシャル層における測定技術および測定条件（例：注入レベル、温度）が測定キャリアライフタイムに及ぼす影響を、報告されているライフタイム間の差異をより深く理解するために、実験および詳細なキャリアダイナミクスシミュレーションの両方により調査しました。
J.D. Caldwell, P. B. Klein, O. Glembocki, K. Hobart, F. Kub, A. Pap, T. Pavelka, A. Shrivastava, Z. Zhang, T. Sudarshan, G. Webster
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