情報と価格についてはお問い合わせください
専門家のアドバイスと研究ニーズに合わせたソリューションを入手してください
2009 • ECS Transactions Volume 25, Issue No. 3, Analytical Techniques for Semiconductor Materials and Process Characterization 6 ALTECH 2009)
量産環境におけるウェーハリングおよび/またはシリコンエピタキシャル成長後の微量金属汚染を検出するためのプロセス管理ツールとして、少数キャリアライフタイムを測定する新しい方法の実験結果を報告する。この新しい方法では、表面シリコン酸化膜をコロナ電荷で帯電させながら、マイクロ波光伝導度減衰（μ-PCD）により少数キャリアライフタイムを測定する。この方法をCharge-PCDと命名した。新しい方法の最適なプロセスおよび限界を決定するため、低温法で作製した各種品質の表面酸化膜と各種コロナ帯電レシピを組み合わせた比較結果を示す。
T. Pavelka, Á. Pap, P. Kenesei, M. Varga, F. Novinics, M. Tallián, G. Borionetti, G. Guaglio, M. Pfeffer, E. Don