SiO2およびHfO2ゲート誘電体を有するシリコン基板上の反転層電荷キャリアの非接触移動度測定

SiO2およびHfO2ゲート誘電体を有するSi基板上の反転層電荷キャリアの移動度を決定する方法について記述する。コロナ電荷と電荷拡散メトロロジーを組み合わせた完全非接触法である。[特許出願番号EP 07118673およびU.S. 60940594。] このような測定から、実効電界の関数として反転層電荷キャリアの移動度を計算できることが示された。得られた移動度曲線は、トランジスタで見られるものと比較可能である。