インラインコロナ電荷メトロロジーによるレーザー誘起界面トラップの制御

レーザーアニールは超浅接合（USJ）の理想的な活性化ステップである。しかし、ゲート誘電体の界面トラップ密度（Dit）を増加させ、NBTI信頼性の劣化をもたらす可能性がある。そのため、アニール条件の影響をコロナ電荷メトロロジーにより研究した。SiO2を基準ゲート誘電体として使用し、レーザー誘起Ditを低減するための回復ソリューションを策定した。しかし一方で、回復はUSJの劣化を引き起こす可能性があり、回復のプロセス条件の選択が制限される。SiO2およびSiONの場合、スパイクアニールによるDitの低減は応力緩和により説明できる。HiKゲート誘電体の場合、化学的相互作用や結晶化の可能性により挙動はより複雑である。回復はスパイクアニールおよびマルチスキャンレーザーアニールにより行うことができる。後者はUSJ特性に対してより優れている。

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