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2007 • Junction Technology, 2007 International Workshop on, pp 47-48
USJ構造の活性化ドーパントプロファイリングを、複雑なポアソンベースの補正を必要とせずに実現できる新しい技術が開発されました。この技術は、25 nmの薄さのUSJ層で実証されています。この測定技術の価値は、移動度変動に関する考慮を排除し、電気的に活性化されたドーパントに焦点を当てることができる点にあります。プロファイルの形状がデバイス性能に影響を与える可能性があるため、この測定は最適なプロセス開発を可能にします。
R.J. Hillard, C. Win Ye, M.C. Benjamin, K. Suguro