リンイオン注入とアニールによる意図しない汚染シリコンウェーハのゲッタリング

本論文では、意図しない汚染のゲッタリングに関する研究を報告します。リンイオン注入層をゲッターとして使用しました。SPVおよびµ-PCD測定結果から、ゲッタリング効率はイオン注入のドーズ量に関連することが示されました。5e15 cm^-2のドーズ量は効果的なゲッタリングに十分であることが確認されました。