シリコン中のTiダブルドナーの再結合特性の調査

メルトTiドープCz Siウェーハの再結合特性を、マイクロ波光伝導度減衰（µ-PCD）および表面光起電力（SPV）ライフタイム測定技術により研究した。µ-PCDライフタイムは、Si中のTiをダブルドナー再結合中心としての深い準位パラメータを用いて計算した再結合ライフタイムと直接対応することが判明した。