動的表面光電荷技術によるイオン注入プロセスモニタリング

確立された大量生産0.35 µm CMOSプロセスで使用される主要な注入パラメータに対するインライン表面光電荷計測システムの測定感度と再現性を決定するため、約1年にわたり詳細なパラメトリックスタディが実施された。臨界pチャネルトランジスタ注入プロセスである閾値電圧調整およびHaloが計測システムの特性評価に使用された。1.5%程度の小さなドーズ変動が統計的精度で測定され、プロセス制御の改善をリアルタイムで定量化できるようになった。幅広い種類の注入に対する1%未満（1σ）の長期システム再現性により、プロセスドリフトまたはスパイク変動の高感度な可視化がリアルタイムで可能となった。

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