CMPプロセス後のCuビア構造および周囲の誘電体スタックのモニタリング

本研究は、化学機械平坦化（CMP）プロセスを経た加工済みウェーハに焦点を当て、特に約45 μmラスターでパターニングされたCuビア構造間の誘電体スタック厚のモニタリングに重点を置いています。一次元スタック多層膜厚の決定には分光エリプソメトリーが適用され、横方向の膜厚プロファイルの可視化にはイメージング分光反射率計が使用されました。