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2011 • International Conference on Ion Implantation Technology IIT 2010
最先端の超浅接合は、1〜3 keVの範囲の極めて低いイオン注入エネルギーを使用して作製されます。これはさまざまな製造技術で達成可能ですが、実際の注入エネルギーが目的の値と異なるリスクが大きくなります。これを検出するには、高感度な測定方法を利用する必要があります。実験により、アニール前の光変調反射率測定とアニール後の接合光起電力ベースのシート抵抗測定の両方がこの目的に適していることが示されています。
M. Tallián, A. Pap, K. Mocsár, A. Somogyi, G. Nádudvari, D. Kosztka, T. Pavelka