ICプロダクトウェーハの小型テスト領域における誘電体特性評価のための非接触電荷-電圧法

半導体ICプロダクトウェーハのスクライブライン上の50 μm×70 μmの微小テストサイトにおける誘電体のモニタリングのための電気的特性評価法を報告する。本手法は、約5mm径のはるかに大きなサイトに使用されていたコロナ-ケルビン計測技術のマイクロスケールへの拡張である。コロナ帯電およびケルビンプローブの微小化は、精度や再現性を犠牲にすることなく達成されている。装置にはテストサイト識別のためのマシンビジョンシステムが搭載されている。先端的なゲート誘電体と主要な電気パラメータ（誘電体容量、リーク電流、誘電体電荷、フラットバンド電圧）を用いてマイクロテストが実証された。モニタリングは非接触であり、汚染物質やパーティクルを付加しない。したがって、測定後、プロダクトウェーハはさらなる処理のためにファブラインに戻すことが可能である。