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2007 • ECS Meeting, Chicago, May 2007
薄膜SOIにおけるシリコン膜厚の正確かつ迅速な測定のための非接触光電測定法が開発された。測定結果を説明するシンプルなモデルが提案されている。標準的な光学技術で得られたデータとの優れた相関が実証された。
E. Tsidilkovski, K. Steeples