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2011 • ECS Meeting Vancouver, Canada, April 25-30, 2010
最先端の超浅接合は、1〜3 keVの範囲に至る極めて低いイオン注入エネルギーを使用して製造されます。これは様々な量産技術で達成可能ですが、実際の注入エネルギーが目標値と異なるリスクが大きくあります。これを検出するために、高感度な測定方法を利用する必要があります。実験により、アニール前のPhotomodulated Reflection測定とアニール後のJunction Photovoltageベースのシート抵抗測定の両方がこの目的に適していることが示されています。
J-L. Everaert, E. Rosseel, A. Mészáros, K. Kis-Szabó, P. Tüttő, A. Pap, T. Pavelka, M. Wilson, A. Findlay, P. Edelman, J. Lagowski