イオン注入シリコンの光電測定法：現象論的アプローチ

イオン注入シリコンのモニタリングのために、表面光起電力効果（SPV）に基づく光電測定法が開発された。主要なインプラント相関を説明する現象論的モデルが提案された。本手法のインプラントドーズ量およびエネルギー感度のメカニズムが特定された。

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