シリコンデバイスにおけるインライン埋め込み欠陥検出のためのフォトルミネッセンス

本研究では、半導体製造プロセス中のシリコンデバイスにおける埋め込み欠陥検出への応用が期待される、新しいイメージングフォトルミネッセンスベースの計測法を紹介する。理論的および実用的側面の両方について議論する。新しい計測ツールが実現され、提案手法の能力を明らかにするために実際の半導体サンプルを用いて徹底的にテストされた。結果によると、断面透過型電子顕微鏡画像により確認されたように、サブミクロンサイズ範囲の欠陥まで光学的に検出可能である。