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2019 • 19th International Workshop on Junction Technology (IWJT) proceedings
Siは間接遷移型バンドギャップ材料であるため、フォノンアシストのバンド間（B2B）放射再結合（Siのエネルギーギャップに等しいエネルギー）によって生成されるPLは非常に弱く、励起光子フラックスの約10桁低い値です[1]。結晶学的欠陥が存在する場合、室温において、Siのバンドギャップよりも低いエネルギーの追加的な広い欠陥PLピーク（DPL）が生成されます[1]、[2]、[3]。室温では、欠陥バンドPL強度はB2B強度より数桁低くなります[1]。
L. Jastrzebski, R. Duru, D. Le-Cunff, M. Cannac S. Joblot, I. Mica, M.L.Polignano, A.Galbiati, P. Monge Roffarello,G. Nadudvari, Z. Kiss, I. Lajtos, A. Pongracz, G. Molnár, M. Nagy, L. Dudás, P. Basa, B.Greenwood, J.Gambino