空間原子層堆積法により成膜された熱的に安定な酸化モリブデンのホール選択性コンタクト

サブストイキオメトリックMoO_xは、c-Si太陽電池のホール選択性コンタクトにおけるp型a-Si:Hの実用的な代替材料として特定されています。多くの研究グループが、MoO_x中のO空孔の増加により、標準的なコンタクト形成アニール中にMoO_xベースのコンタクトの電気特性が劣化する強い傾向を観察しています。これらのO空孔はバンドギャップ内に欠陥準位を形成し、MoO_xの仕事関数を低下させ、コンタクトを通じたホール伝導の効率に影響を与えます。本論文では、UV-オゾン処理によりp型c-Si上に薄いトンネルSiO_x層を成長させ、その上に空間原子層堆積法を用いて薄い（~5 nm）MoO_xを成膜しました。アルミニウムコンタクトの代替として高仕事関数（5.01 eV）のニッケルを使用することで、効率的なホール輸送を補助するだけでなく、300°Cまでの温度で接触抵抗率10 mΩ-cm²以下の熱的に安定なコンタクトが形成されることを示します。