光変調反射率測定による低エネルギーイオン注入プロセスのチルト角およびドーズレートモニタリング

光変調反射率測定は、モニターウェーハおよび製品ウェーハにおけるイオン注入工程の統計的プロセス管理のための、非接触・非破壊でインライン対応可能な低コストの強力な手法を提供します。本稿では、光変調反射率測定（PMR）が、低エネルギーイオン注入プロセスにおいても優れた分解能でイオン注入ドーズ量、フルエンスおよびチルト角のモニタリングに使用できることを示すケーススタディを紹介します。浅い接合と複雑な三次元ドーピングプロファイルを利用する最先端の半導体プロセスにおいて、精密なドーパントおよびダメージプロファイル制御が極めて重要であるため、これは重要です。