PULSION®上でのプラズマイマージョンイオン注入とレーザー熱処理による超浅接合の形成

＜45 nm ITRSノードのP+/N接合に対する要件を達成するため、超低エネルギー・高ドーズのイオン注入が必要です。従来のビームラインイオン注入は低エネルギーにおいて限界がありますが、プラズマイマージョンイオン注入（PIII）は半導体応用における超浅接合（USJ）の実現においてその有効性が実証されています。この技術は、エネルギーの下限制限がなく、高ドーズレートにより、極めて浅い（注入直後の）プロファイルを得ることが可能です。