높은 도펀트 활성화 및 낮은 손상을 달성한 45nm 노드 p+ USJ 형성

본 연구에서는 45nm 노드 응용을 위해 깊이 15~20nm의 고도 도펀트 활성화와 저손상을 갖는 초박막 접합(Ultra-Shallow Junction, USJ)을 구현하고자, 다양한 p+ 확장 주입 도펀트 종(B, BF₂, B₁₀H₁₄ & B₁₈H ₂₂)과 어닐링 기법(spike, flash, laser, SPE)을 조사하였습니다. 새로운 USJ 계측 기법을 적용하여 1) 표면 도펀트 활성화 수준과 2) 접합 품질(잔류 주입 손상)을 평가하였으며, 이를 위해 접촉식 및 비접촉식 전면 웨이퍼 계측 방법을 활용하였습니다. 연구 결과, 분자 도펀트 종(B₁₀H₁₄ & B₁₈ H₂₂)을 사용하고 고온(플래시 또는 레이저) 어닐링 또는 저온 SPE 어닐링을 적용하는 방식이 도펀트 확산 없이 넓은 온도 범위에서 높은 활성화를 달성할 수 있어 SiON 또는 고유전율 Hf 기반 게이트 스택 구조를 사용하는 45 nm 노드 공정 통합에 매우 유망함을 확인하였습니다.

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