얇은 SiGe:B 층에 대한 계측 기법 결합의 이점

본 논문에서는 보론으로 도핑된 얇은 실리콘 게르마늄(SiGe) 에피택셜 층의 전반적인 계측 성능을 향상하기 위해 다양한 기법을 결합하는 데 따른 이점을 평가한 연구 결과를 제시합니다. 특별히 설계된 웨이퍼 세트를 공정 처리한 후, 다양한 인라인 계측 장비와 특성 분석 기법을 이용하여 측정을 수행하였습니다. 본 연구에서는 층의 도펀트 농도와 Ge 조성을 안정적으로 결정하기 위해 계측 기법을 결합하는 최상의 전략을 설명합니다. 이는 결합된 계측이 제조 및 엔지니어링 환경에서 핵심적인 성능 개선을 가능하게 한다는 함을 입증합니다.