2006 • Materials Research Society MRS, Spring Meeting

4H-SiC 에피층의 캐리어 수명 매핑 및 수명 연구

Abstract

n− 4H-SiC 에피층에서 측정된 캐리어 수명에 대한 측정 기술 및 측정 조건(예: 주입 수준, 온도)의 영향은 보고된 수명 간의 차이를 더 잘 이해하기 위해 실험적으로 그리고 상세한 캐리어 역학 시뮬레이션을 통해 연구되었습니다.

carrier lifetimesilicon carbide (SiC)epilayer

J.D. Caldwell, P. B. Klein, O. Glembocki, K. Hobart, F. Kub, A. Pap, T. Pavelka, A. Shrivastava, Z. Zhang, T. Sudarshan, G. Webster