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2009 • ECS Transactions Volume 25, Issue No. 3, Analytical Techniques for Semiconductor Materials and Process Characterization 6 ALTECH 2009)
생산 환경에서 실리콘의 웨이퍼링 및/또는 에피택셜 성장 후 미량 금속 오염을 확인하기 위한 공정 제어 도구로서 소수 캐리어 수명을 측정하는 새로운 방법에 대한 실험 결과가 보고됩니다. 이 새로운 방법에서는 표면 실리콘 산화물을 코로나 전하로 충전하면서 소수 캐리어 수명을 마이크로파 광전도 감쇠(μ-PCD)로 측정합니다. 이 연구에서는 이 방법을 Charge-PCD라고 명명했습니다. 저온 방법으로 형성된 다양한 품질의 표면 산화막과 여러 코로나 충전 조건을 결합하여 얻은 결과를 비교함으로써 새로운 방법의 최적 공정 조건과 한계를 규명합니다.
T. Pavelka, Á. Pap, P. Kenesei, M. Varga, F. Novinics, M. Tallián, G. Borionetti, G. Guaglio, M. Pfeffer, E. Don