인 이온 주입 및 어닐링을 이용한 비의도적 오염 실리콘 웨이퍼의 게터링

본 논문에서는 비의도적 오염에 대한 게터링 연구를 제시합니다. 인 이온 주입층을 게터로 활용하였으며, SPV 및 µ-PCD 측정 결과는 게터링 효율이 이온 주입량과 관련이 있음을 나타냅니다. 5e15cm^-2의 선량은 효과적인 게터링에 충분했습니다.