실리콘 내 Ti 이중 도너의 재결합 특성 분석

용융 공정으로 Ti가 도핑된 Cz 실리콘 웨이퍼의 재결합 특성을 마이크로파 광전도 감쇠(µ-PCD)와 표면 광전압(SPV) 수명 측정 기법을 이용하여 분석합니다. 분석 결과, µ-PCD로 측정한 수명은 실리콘 내 Ti가 이중 도너 재결합 중심으로 작용한다는 가정 하에 심부 준위 파라미터를 기반으로 계산한 재결합 수명과 직접적으로 일치하는 것으로 나타났습니다.