동적 표면 광전하 기법을 이용한 이온 주입 공정 모니터링

확립된 고부하 0.35 μm CMOS 공정에서 사용되는 주요 이온 주입 파라미터에 대해, 인라인 표면 광전하 계측 시스템의 측정 감도와 반복성을 평가하기 위한 상세한 파라미터 연구를 약 1년에 걸쳐 수행하였습니다. 계측 시스템의 성능 평가는 p채널 트랜지스터의 핵심 이온 주입 공정인 임계 전압 조정 및 Halo 공정을 대상으로 수행하였습니다. 최소 1.5% 수준의 도즈 변화도 통계적으로 유의미한 정확도로 측정할 수 있었으며, 이를 통해 공정 제어 개선 효과를 실시간으로 정량화할 수 있었습니다. 또한 다양한 이온 주입 공정에 대해 1% 미만(1σ 기준)의 장기 반복성을 확보함으로써 공정 드리프트나 급격한 변동을 실시간으로 민감하게 감지할 수 있음을 확인하였습니다.

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