CMP 공정 이후 Cu 비아 구조 및 주변 유전체 스택의 모니터링

본 연구는 화학 기계적 평탄화(CMP) 공정을 거친 웨이퍼를 대상으로 하며, 약 45 μm 래스터로 패턴된 Cu 비아 구조 간 유전체 스택 두께 모니터링에 중점을 둡니다. 분광 타원편광법을 적용하여 1차원 스택 다층 두께를 산출하였으며, 이미징 분광 타원편광법 반사율 측정을 통해 횡방향 두께 프로파일을 확인하였습니다.