45 nm 節點 p+ USJ 形成，具有高摻雜劑活化和低損傷

2、B₁₀H₁₄ 和 B₁₈H ₂₂)和退火變淺雷射（JK、JL） 15-20 nm 深，適用於 45 nm 節點應用。 研究了新的 USJ 計量技術，以確定：1) 表面摻雜劑活化程度和 2) 使用接觸和非接觸全晶圓計量方法的結質量（殘留注入損傷）。 我們發現，使用分子摻雜劑種類 (B₁₀H₁₄ 和 B₁₈ H₂₂) 高溫（閃光或雷射）退火或低溫 SPE 退火由於其寬介質溫度範圍，對於與 SiON 或高堆疊電板節點製程整合非常有前景無擴散的摻雜劑活化範圍

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