歡迎洽詢產品資訊與報價
針對您的研究需求，提供專業諮詢與客製化解決方案
2004 • SEMICON ® West, SEMI®Technical Symposium: Innovations in Semiconductor Manufacturing, Semiconductor Equipment and Materials International, ISBN # 1-892568-79-9
描述了測量 USJ 源極-汲極結構的四點探針 (4pp) 方塊電阻 (R/sub S/) 的精確方法。 新方法利用彈性材料門（EM-gate）探針與矽表面形成非穿透接觸。 探頭設計採用運動學和力控制，以確保探頭材料的彈性變形。 選擇探針材料，以便大的直接隧道（DT）電流可以流過原生氧化物，從而形成低阻抗接觸。 在本文中，新的 4pp 將在各種植入的 USJ 結構上進行展示。
R.J. Hillard, C. Win Ye, L. Tan, M.C. Benjamin, R.G. Mazur