2014 • Advanced Semiconductor Manufacturing Conference ASMC), 2014 Annual SEMI
本文介紹了一項研究,旨在評估組合技術的優勢,以改善摻硼薄矽鍺 (SiGe) 外延層的整體計量。 透過不同的線上計量工具和表徵技術處理和測量一組專門設計的晶圓。 本研究描述了結合計量技術的最佳策略,以便可靠地確定各層的摻雜劑濃度和 Ge 成分測量。 它表明組合計量可以實現製造和工程環境的關鍵改進。
D. Le Cunff, T. Nguyen, R. Duru, F. Abbate, J. Hoglund, N. Laurent, F. Pernot, M. Wormington
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