用於高功率裝置的高電阻率矽的載子壽命控制和表徵

高功率元件需要高電阻率的厚矽層才能達到高擊穿電壓。 為了優化這些裝置的開啟和關閉行為，需要精確調整載子壽命，並了解其對製程參數和操作參數（例如溫度和注入程度）的依賴性。 因此，可以透過基於光電導和自由載子吸收測量的兩種不同測量技術來分析起始材料（FZ 生長的矽）以及經過過渡金屬（Pt、Au、Fe）摻雜或電子或輕離子照射的加工元件的載子壽命。