使用升級的雷射 E-PCD 技術測量單晶矽錠的載子壽命

光電導衰減（PCD）方法是矽錠載子壽命表徵的標準表徵技術。 我們分析了使用單色光的渦流PCD技術的精度，並著重於雷射激發特性的影響。 PCD測量模擬表明，表面複合對測量壽命和注入水平的影響很大程度上受雷射激發源的波長和脈衝持續時間的影響。 也考慮到載子分佈隨時間的演變，已找到 1050 至 1070 nm 之間的最佳波長範圍。 使用原始 980 nm 雷射和相當優化的 1064 nm 雷射進行渦流檢測 PCD (e-PCD) 測量，透過實驗和模擬進行了詳細比較。 在與注射無關的壽命模型中，有效壽命在合理的時間內漸近地接近體壽命，並且兩個雷射光源都提供了實驗證實的準確結果。 然而，如果載子壽命隨注入水平顯著變化，則可以觀察到使用不同雷射器記錄的漸近壽命之間的顯著差異。 即使在這種情況下，較長波長設定的壽命值也接近整體壽命的飽和值。 這是使用較長波長雷射進行鑄錠 PCD 測量的另一個重要優勢。將雷射 e-PCD 結果與基於閃光燈的 PCD 系統進行比較，發現在長壽命範圍內具有良好的相關性。 然而，閃光燈 PCD 系統的瞬態模式和準穩態 (QSS) 模式之間發現的顯著差異表明，執行測量