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2009 • ECS Transactions Volume 25, Issue No. 3, Analytical Techniques for Semiconductor Materials and Process Characterization 6 ALTECH 2009)
報告了一種測量少數載子壽命的新方法的實驗結果，該方法作為製程控制工具，用於確定生產環境中矽晶片和/或外延生長後的微量金屬污染。 在這種新方法中，少數載子壽命是透過微波光電導衰減（μ-PCD）測量的，同時用電暈電荷對錶面氧化矽充電。 我們將該方法命名為 Charge-PCD。 結果比較了低溫方法與各種電暈充電配方製備的表面氧化物的各種質量，以確定新方法的最佳過程和限制。
T. Pavelka, Á. Pap, P. Kenesei, M. Varga, F. Novinics, M. Tallián, G. Borionetti, G. Guaglio, M. Pfeffer, E. Don