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1998 • In-Line Characterization Techniques for Performance and Yield Enhancement in Microelectronic Manufacturing II Conference
我們介紹了等離子體和熱處理步驟引起的氧化物和矽缺陷的快速非接觸式全晶圓表徵的基本原理和代表性示例。 使用最近推出的「COCOS」和表面摻雜方法來獲得參數和分佈結果，這些方法增強了接觸電位差和表面光電壓方法。 測量的參數包括平帶電壓、界面陷阱密度、軟擊穿、氧化物表面電位和恢復壽命。 我們研究了等離子金屬蝕刻和灰化、熱氧化、退火環境和氮化方法的影響。
Piotr Edelman, A Savchouk, M Wilson, Lubek Jastrzebski, Jacek J Lagowski, Christopher Nauka, Shawming Ma, Andrew M Hoff, Damon K DeBusk