具有 SiO2 和 HfO2 閘極電介質的矽基板上反轉電荷載子的非接觸遷移率測量

描述了一種確定具有 SiO2 和 HfO2 閘極電介質的 Si 基板上反轉電荷載子遷移率的方法。 它是一種結合了電暈電荷和電荷擴散計量的完全非接觸式方法。 [專利申請號EP 07118673和U.S. 60940594。 ]結果表明，根據這種測量，可以將反轉電荷載子的遷移率計算為有效電場的函數。 由此產生的遷移率曲線與電晶體中的遷移率曲線相當。