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在简要描述了金属氧化物半导体 (MOS) 器件架构的演变以及对外延生长工艺的相应要求之后，该手稿描述了用于互补场效应晶体管 (CFET) 器件的复杂 Si/SiGe 多层堆叠的材料特性。 它們含有兩種不同的 Ge 濃度，並使用傳統製程氣體生長。 使用相對較高的生長溫度以獲得可接受的Si和SiGe生長速率。 當 Ge 濃度高達 40% 時，島嶼的生長仍然受到抑制。 將報道 Si/SiGe 多層堆疊的優異結構和光學材料特性，堆疊的頂部和底部分別具有多達 3 + 3 個 Si 通道。 晶格缺陷的存在/不存在已透過室溫光致發光測量得到驗證。 低溫下的光致發光測量用於研究各個子層的帶間發光，並說明 CFET 堆疊的光學材料品質。
Roger Loo, Anjani Akula, Yosuke Shimura, Clement Porret, Erik Rosseel, Thomas Dursap, Andriy Yakovitch Hikavyy, Matteo Beggiato, Janusz Bogdanowicz, Alex Merkulov, Mustafa Ayyad, Han Han, Olivier Richard, Andrea Impagnatiello, Dong Wang, Keisuke Yamamoto, Tamás Sipőcz, Árpád Kerekes, Hans Mertens, Naoto Horiguchi and Robert Langer