雷射退火熱預算對高 Ge 含量薄 SiGe 通道品質的影響

我們使用高解析度 X 射線衍射 (HR-XRD) 和一種新的非接觸計量技術來測量反轉電荷的遷移率，探索了在 Ge 濃度高達 55% 的覆蓋 SiGe/Si 蓋層上進行亞熔雷射退火的極限。 我們討論了雷射峰值溫度和 SiGe/Si 疊層參數的影響。 結果表明，對於高 Ge 濃度和感興趣的 SiGe/Si 蓋厚度，需要限制標準雷射退火熱預算以避免過度鬆弛並保持遷移率增強。