2011 • ION IMPLANTATION TECHNOLOGY 2101: 18 International Conference on Ion Implantation Technology IIT 2010

使用光調製反射和結光電壓測量技術對退火前後的超淺植入物進行植入物監測測量

Abstract

超淺結在微電子和奈米電子元件中廣泛應用，需要新穎的測量方法來監控製造過程。退火前的光調製反射測量和退火後基於結光電壓的薄層電阻測量是非接觸式、非破壞性技術，適用於表徵注入和退火過程。測試驗證這些方法彼此一致，並且透過將它們結合使用，可以分離源自註入和退火步驟的缺陷。

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ultra-shallow junction (USJ)Photomodulated Reflection measurements

M. Tallián, A. Pap, K. Mocsár, A. Somogyi, Gy. Nádudvari, D. Kosztka, T. Pavelka