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180nm 雙極-CMOS-DMOS (BCD) 技術的關鍵部分是使用具有高貝塔值的 PNP 雙極元件。 宏觀和微觀光致發光成像（MacroPL、μPL）透過高強度照明激發半導體中的載流子，然後觀察輻射複合產生的較長波長的光子；使用了帶間發射和缺陷帶間發射。 使用顯微光致發光成像可以快速表徵位錯和其他抑制 PNP beta 的缺陷並採取糾正措施。
B. Greenwood, J. Kimball, S. Sridaran, K. Truong, A. Lee, S. Menon, J.P. Gambino, L. Jastrzebski, G. Nadudvari, L. Roszol, M. Nagy, G. Molnar, Z. Kiss, A. Pongracz, J. Byrnes