利用電暈電荷非接觸式 C-V (CnCV) 改進高精度摻雜劑/載子濃度分析

我們報告了最近開發的基於電暈的非接觸電容電壓 (CnCV) 計量技術的重大進展，用於 SiC 和其他寬帶隙半導體的全面 C-V 表徵。該技術滿足了材料和裝置開發以及製造控制對無損、經濟高效的 C-V 摻雜劑監測的產業需求。 在 10¹⁴cm^-3 至 2x10¹⁹cm^-3 濃度範圍內，SiC、Ga₂O₃、GaN 和 Al CV₂O₃、GaN 和 Al CV_{20電子/cm^-3 過渡到完全耗盡的阱，並且摻雜劑濃度在 10¹⁵cm^-3 範圍內。}