透過升級的 μ-PCD 技術來表徵 mc:Si 磚的壽命

介紹了一種非常有效的方法來改進傳統 µ-PCD 壽命測繪技術在大塊光伏級矽材料（錠、塊）中的應用。 記錄的光電導衰減曲線的形狀受到用於產生電子空穴對的雷射的特性的強烈影響。 將原始雷射配置替換為最佳化設置，可以減少表面複合的影響，從而顯著延長可測量的衰減時間。 它可以更好地表徵矽磚的優質部分的載子壽命。 此外，與類似技術不同，μ-PCD 的建議實現可沿著整個矽磚提供相對均勻的測量注入水平。 實驗和模擬結果非常吻合，證實了升級後的μ-PCD技術的適用性增強。

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