使用載子壽命法測量 p 型矽中的銅

我們將 SPV 技術與 µ−PCD 進行比較，以確定 p-Si 中銅沉澱物的複合活性。 透過室溫照射，在塊狀矽中形成銅沉澱物。 我們觀察到，用 SPV 測量的銅沉澱物的複合活性高於用 µ−PCD 技術測量的銅沉澱物的複合活性。 然而，銅檢測靈敏度似乎與 SPV 和 µ−PCD 技術大致相同。

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