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2006 • Proceedings of Conf. on Ion Implant Technology IIT 2006), Marseille, France, CP866, Ion Implantation technology, American Inst. Of Physics, 534-537.
本文介紹了使用結光電電壓 (JPV) 方法獲得的結果，該方法針對組合注入退火製程的特性進行了最佳化。 人們發現該工具特別適合測量超淺結片電阻率和洩漏。 在這項工作中，作者還評估了與先前的設備設計相比，提高空間解析度的好處。 目前技術的 USJ 監控晶圓是使用 BF2 或砷注入，然後進行尖峰退火製成的，並且開發 USJ 晶圓是通過等離子體浸入，然後進行激光退火製成的。 所有晶圓均使用非接觸式 JPV 測量工具進行測量。 JPV 測量所獲得的結果與破壞性離線分析測量工具相關。
E. Don, A. Pap, T. Pavelka, P. Tüttő, C. Wyon, C. Laviron, R. Oechsner, M. Pfeffer