深溝槽結構產生的晶體缺陷的室溫微光致發光成像

矽中的深溝槽 (DT) 是機械應力的來源，最終可能導致晶體缺陷的形成。 這項工作表明，室溫微光致發光成像可用於對 DT 產生的埋藏缺陷進行無損線上監測。 透過訓練用於自動影像分割的捲積神經網絡，影像分析實現自動化，從而可以檢查大區域。 對不同間距和重數的DT結構的分析表明，DT相互距離是控制缺陷產生的主要因素。 最後，逐步分析可以檢測導致缺陷產生的步驟以及製程流程中缺陷密度的進一步增加。