4H-SiC 外延層微波光電導衰變映射與壽命研究

碳化矽及相關材料國際會議 (ICSCRM) 已成為討論新研究成果並評估 SiC、氮化鎵 (GaN) 和其他相關寬頻隙半導體真正「最先進水平」的卓越論壇。

半導體材料科學和技術為當前電子和光學元件技術的卓越性能提供了堅實的基礎。

寬頻隙半導體，通常是SiC 被定義為電子帶隙大於 2.9 eV 的材料，正在成為能夠在未來許多年持續推動裝置性能增強的材料。

SiC 的研究已經有幾十年了，但最近的發展已經在光學、射頻和功率元件領域牢固地建立了商業產品。 該領域的持續研究將確保基於 SiC 的裝置技術能夠快速發展。

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