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2024 • 2024 IEEE 10th Electronics System-Integration Technology Conference (ESTC), Berlin, Germany, 2024, pp. 1-4
本研究重點關注經過化學機械平坦化 (CMP) 製程的加工晶圓，特別強調監測以大約 45 μm 光柵圖案化的 Cu VIA 結構之間的電介質堆疊厚度。 利用光譜橢偏儀測定一維堆疊多層厚度，同時以成像光譜反射儀揭示橫向厚度輪廓。
A. Suto, P. Basa, Gy. Nadudvari, S. Poppa