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在這項工作中，我們對解耦等離子體氮化 (DPN) HfSiOx 的電暈電荷測量進行了評估和理解。 評估了典型的電暈電荷參數，例如等效氧化物厚度 (EOT)、界面態密度 (Dit) 和飽和表面電壓 (Vsat)。 結果表明，特別是 Dit 和 Vsat 氮化監測的有希望的參數，因為它們與 DPN 參數具有良好的準確性相關性。 透過使用直接隧道模型，對觀察到的 Vsat 行為給予了基本解釋。
J-L. Everaert, X. Shi, A. Rothschild, M. Schaekers, E. Rosseel, T. Pavelka, E. Don, S. Vanhaelemeersch
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