非接觸式摻雜測量，提高寬頻隙晶圓製造的吞吐量和高精度

我們提出了一種基於電暈電荷表面電壓 CnCV 技術改進的寬帶隙半導體非接觸摻雜監測新方法。 此方法旨在加速測量並在典型的 12 站點測量模式中實現每小時 20 片晶圓的吞吐量。 這種加速測量（比目前的 CnCV 快 5 倍）的精度為 0.1% 至 0.2%。 提高測量速度的關鍵因素是深耗盡中電暈電荷偏壓的光致控制的發展，這對於寬頻隙材料來說是獨一無二的。 此方法適用於具有裸露表面的寬帶隙半導體。針對外延4H-SiC給出了證明新穎摻雜測量的具體結果。