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2011 • ECS Meeting Vancouver, Canada, April 25-30, 2010
最先進的超淺結是使用極低的離子注入能量（低至 1-3 keV 的範圍）產生的。 這可以透過多種生產技術來實現；然而，存在實際注入能量與期望值不同的重大風險。 為了檢測這一點，需要使用靈敏的測量方法。 實驗表明，退火前的光調製反射測量和退火後基於結光電壓的薄層電阻測量都適合此目的。
J-L. Everaert, E. Rosseel, A. Mészáros, K. Kis-Szabó, P. Tüttő, A. Pap, T. Pavelka, M. Wilson, A. Findlay, P. Edelman, J. Lagowski